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BMC模组规格书

图1 BMC模组外观图

搭载高性能Hi1711V100处理器。
最大2GByte DDR4 内存，最高支持2400Mbps数据速率。
支持PCIe、网络协议。

表1 BMC模组技术规格
指标项	规格
尺寸	45mm*30mm 正面限高2.5mm
封装	412 PIN LGA，1.5pitch
CPU	Hi1711V100，4核，ARM V8，1GHz。
内存	单通道DDR4-2400，最大2GByte，支持ECC。
功耗	最小功耗：2.56W 典型功耗：4W 最大功耗：5W
网络	4个物理以太网，2路SGMII和2路RMII。
PCIe	2个PCIe2.0控制器，支持PCIe Gen2 X1规格，PCIe0支持EP模式，PCIe1支持RC和EP模式。
存储	集成单通道DDR控制器，支持DDR4 16bits@2400MHz，支持片内ECC 校验。非安全区提供128kb SRAM。安全区提供256kb SRAM。
USB	1USB3.0+3USB2.0
串口	5*UART（两线模式）
其他接口	1VGA 1LPC 2SFC 1SPI 1SDIO 1Localbus 11IIC 4IPMB 1JTAG 1MDIO
管理维护	集成MCTP管理部件传输协议，实现管理控制器如CPU和各设备之间的通信。
推荐工作环境	存储温度：25℃ 工作温度：0℃~40℃ 温度变化每小时小于20℃ 相对湿度：40% RH~60% RH非凝结湿度变化每小时小于20% RH
极限工作环境	存储温度：-40~85℃ 相对湿度：5% RH~95% RH非凝结最大节温：0℃~105℃
海拔	≤3050m，高出900m时，工作温度按照每300m降低1℃计算。
腐蚀性气体污染物	腐蚀产物厚度最大增长速率：铜测试片：300 Å/月（满足ANSI/ISA-71.04-2013定义的气体腐蚀等级G1）银测试片：200 Å/月
颗粒污染物	符合数据中心清洁标准ISO14664-1 Class8。机房无爆炸性、导电性、导磁性及腐蚀性尘埃。
供电	3.3V_STB±2%，最大3A。