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title: 单板设计参考
description: "PCIe的耦合电容要放在发送侧，耦合电容大小为176nF到265nF，建议使用200nF。"
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# 单板设计参考

PCIe的耦合电容要放在发送侧，耦合电容大小为176nF到265nF，建议使用200nF。

SATA/SAS分别在接收端和发送端放置耦合电容，电容大小不超过12nF，建议使用10nF。

以太网应用需要在接收侧放置耦合电容，容值参考协议要求。

应用于920模组时，需要M0和M1都用于HCCS互联；应用于920S模组时，M0单路互联，M1可以复用为PCIe接口。HCCS支持交叉对接（M0接M1，M1接M0）和不交叉对接（M0接M0，M1接M1），推荐使用不交叉对接，使用Lane翻转方式连接，应用不需要外接耦合电容，如有连接器则耦合电容靠近连接器放置。

图1 SerDes参考设计

对于不使用的Lane，可以悬空。在Hilink初始化的时候，不使用的Lane不上电。