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title: 修改内存刷新速率
description: "DRAM存储器内部使用电容来存储数据，由于电容有漏电现象，经过一段时间电荷会泄放，导致数据不能长时间存储。因此需要不断充电，这个充电的动作叫做刷新。自动刷新是以“行”为单位进行刷新，刷新操作与读写访问无法同时进行，即刷新时会对内存的性能造成影响。同时温度越高电容泄放越快，器件手册通常要求芯片表面温度在0℃~85℃时，内存需要按照64ms的周期刷新数据，在85℃~95℃时，按照32ms的周期刷新数据。"
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# 修改内存刷新速率

#### 原理

DRAM存储器内部使用电容来存储数据，由于电容有漏电现象，经过一段时间电荷会泄放，导致数据不能长时间存储。因此需要不断充电，这个充电的动作叫做刷新。自动刷新是以“行”为单位进行刷新，刷新操作与读写访问无法同时进行，即刷新时会对内存的性能造成影响。同时温度越高电容泄放越快，器件手册通常要求芯片表面温度在0℃~85℃时，内存需要按照64ms的周期刷新数据，在85℃~95℃时，按照32ms的周期刷新数据。

BIOS中内存刷新速率选项提供了auto选项，可以根据工作温度自动调节内存刷新速率。相比默认的32ms配置，该选项可以提升内存性能，同时确保工作温度在85℃~95℃时内存数据的可靠性。


#### 修改方式

按照附录进入BIOS界面的步骤进入BIOS，然后在BIOS的如下位置设置内存刷新速率。