技术规格

尺寸

• 102mm*130mm
• 背面限高2mm，正面限高4.5mm。

连接器

688PIN阵列连接器，配高5mm。

CPU

920处理器，64bits-Taishan架构，24核24线程/32核32线程，2.6GHz。

内存

支持4通道DDR4内存，最大速率为2933MT/s，最大容量为128GByte，支持ECC。内存颗粒速率2933MT/s，带宽1.47GB/s。

片间互联

1*X8 HCCS@240Gpbs，支持2P互联。

网络

• 8个物理以太网，支持GE或者XGE，支持PFC for 8TC DCB，Normal for normal Ethernet协议。
  • Serdes连接PHY芯片，出电口。
  • Serdes连光模块，出光纤口。
  • Serdes通过背板互联。
• 支持速率组合一
  • 2 x 100GE(PFC/Normal)
  • 2 x 50GE(PFC/Normal)
  • 2 x 40GE(PFC/Normal)
  • 2 x 25GE(PFC/Normal)
  • 2 x 10GE(PFC/Normal)
  • 2 x GE(Normal)
• 支持速率组合二
  • 4 x 50GE(PFC/Normal)
  • 4 x 25GE(PFC/Normal)
  • 4 x 10GE(PFC/Normal)
  • 4 x GE(Normal)
• 支持速率组合三
  • 8 x 25GE(PFC/Normal)
  • 8 x 10GE(PFC/Normal)
  • 4 x GE(Normal)+4 x 25GE(Normal)/4 x 10GE(Normal) /4 x GE(Normal)

PCIe

• 3个PCIe4.0控制器，最大40Lanes。

  PCIe0、PCIe1可分别配置为1个X16、2个X8、4个X4、8个X2接口，每个控制器最大支持8个Port；PCIe2可以分别配置为1个X8、2个X4、4个X2接口，最大支持4个Port。PCIe1 Port0支持EP模式。

• 3个PCIe 控制器支持：GEN4（16Gbps）、GEN3（8Gbps）、GEN2（5Gbps）、GEN1（2.5Gbps）。
• 支持P-N极性翻转。

存储

• 提供2个X8 SAS 3.0控制器。
  • 支持SAS 3.0，向下兼容SAS2.0 和SAS1.0。
  • 支持SATA 3.0，向下兼容SATA 2.0 和SATA 1.0。
• SAS支持12G/6G/3G/1.5G速率，SATA 支持6G/3G/1.5G速率，同时可以实现速率的自协商。
• 可以不经过Expander，最大直连8个SAS或者SATA盘，两者可以混插。
• 可以连接SAS Expander，扩展更多磁盘。
• 提供1 个X2 SATA 控制器。
  • 支持SATA 3.0，向下兼容SATA 2.5。
  • 支持AHCI 1.3，向下兼容 AHCI 1.2。
  • 支持6G/3G/1.5G 速率自协商。
  • 支持直连两个SATA 盘。
• 支持NOR Flash控制器（BIOS）支持单线、双线和四线模式，最大频率50MHz。

USB

1*USB3.0+2*USB2.0

串口

2*UART（两线模式）

其他接口

• 6*I2C（1个支持IPMB）
• 2*MDIO
• 1*LPC
• 1*Hisport（自定义串行通信接口）
• 1*SGPIO
• 11*GPIO（复用）
• 1*JTAG

管理维护

• 提供IMU管理单元
  • 支持状态收集，平台健康监测
  • 工作频率800MHz
  • 支持BootRom安全启动
• 提供CPLD管理模块
  • 支持看门狗，支持电压监测
  • 支持CPU内部温度，板载温度监测
  • 支持过温告警指示，错误指示等
  • 支持带外升级固件

加速功能

集成多个硬件加速器，提供比软件方式更高的性能，同时降低PCU负载。加速特性需通过BMC实现。

• 支持ZIP 进行压缩和加压缩加速
• 支持HPRE 运算
• 支持RAID 引擎
• 支持SEC 引擎

推荐工作环境

• 存储温度：25℃
• 工作温度：0℃~40℃
• 温度变化每小时小于20℃
• 相对湿度：40% RH~60% RH非凝结
• 湿度变化每小时小于20% RH

极限工作环境

• 存储温度：-40~125℃
• 相对湿度：5% RH~95% RH非凝结
• 最大节温：105℃

海拔

≤3050m，高出900m时，工作温度按照每300m降低1℃计算。

腐蚀性气体污染物

腐蚀产物厚度最大增长速率：

• 铜测试片：300 Å/月（满足ANSI/ISA-71.04-2013定义的气体腐蚀等级G1）
• 银测试片：200 Å/月

颗粒污染物

• 符合数据中心清洁标准ISO14664-1 Class8。
• 机房无爆炸性、导电性、导磁性及腐蚀性尘埃。

供电

• 12V±5%，最大20A
• 3.3V_STB (-1%~+3%)，最大2A

尺寸

• 45mm*30mm
• 正面限高2.5mm

封装

412 PIN LGA，1.5pitch

CPU

Hi1711V100，4核，ARM V8，1GHz。

内存

支持单通道DDR4内存，内存颗粒最大速率为2400MT/s，最大容量为2GByte，支持ECC。

网络

4个物理以太网，2路SGMII和2路RMII；

PCIe

2个PCIe2.0控制器，支持PCIe Gen2 X1规格，PCIe0支持EP模式，PCIe1支持RC和EP模式。

存储

• 集成单通道DDR控制器，支持DDR4 16bits@2400MHz，支持片内ECC 校验。
• 非安全区提供128kb SRAM。
• 安全区提供256kb SRAM。

USB

1*USB3.0+3*USB2.0

串口

5*UART（两线模式）

其他接口

• 1*VGA
• 1*LPC
• 2*SFC
• 1*SPI
• 1*SDIO
• 1*Localbus
• 11*IIC
• 4*IPMB
• 1*JTAG
• 1*MDIO

管理维护

集成MCTP管理部件传输协议，实现管理控制器如CPU和各设备之间的通信。

推荐工作环境

• 存储温度：25℃
• 工作温度：0℃~40℃
• 温度变化每小时小于20℃
• 相对湿度：40% RH~60% RH非凝结
• 湿度变化每小时小于20% RH

极限工作环境

• 存储温度：-40~85℃
• 相对湿度：5% RH~95% RH非凝结
• 最大节温：105℃

海拔

≤3050m，高出900m时，工作温度按照每300m降低1℃计算。

腐蚀性气体污染物

腐蚀产物厚度最大增长速率：

• 铜测试片：300 Å/月（满足ANSI/ISA-71.04-2013定义的气体腐蚀等级G1）
• 银测试片：200 Å/月

颗粒污染物

符合数据中心清洁标准ISO14664-1 Class8。

机房无爆炸性、导电性、导磁性及腐蚀性尘埃。

供电

3.3V_STB±2%，最大3A