修改内存刷新速率
原理
DRAM内存内部使用电容来存储数据,由于电容有漏电现象,经过一段时间电荷会泄放,导致数据不能长时间存储。因此需要不断充电,这个充电的动作叫做刷新。自动刷新是以“行”为单位进行刷新,刷新操作与读写访问无法同时进行,即刷新时会对内存的性能造成影响。同时温度越高电容泄放越快,器件手册通常要求芯片表面温度在0℃~85℃时,内存需要按照64ms的周期刷新数据,在85℃~95℃时,按照32ms的周期刷新数据。
BIOS中内存刷新速率选项提供了auto选项,可以根据工作温度自动调节内存刷新速率。相比默认32ms配置可以提升内存性能,同时确保工作温度在85℃~95℃时内存数据的可靠性。
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