单板设计参考
PCIe的耦合电容要放置在发送端,耦合电容大小为176nF到265nF,建议使用200nF。
SATA/SAS分别在接收端和发送端放置耦合电容,电容大小不超过12nF,建议使用10nF。
以太网应用需要在接收端放置耦合电容,容值参考协议要求。
应用于S920S08模组时,M0单路互联,使用Lane翻转方式连接,应用不需要外接耦合电容。
图1 SerDes参考设计


对于不使用的Lane,可以悬空。在Hilink初始化的时候,不使用的Lane不上电。
父主题: 高速SerDes
PCIe的耦合电容要放置在发送端,耦合电容大小为176nF到265nF,建议使用200nF。
SATA/SAS分别在接收端和发送端放置耦合电容,电容大小不超过12nF,建议使用10nF。
以太网应用需要在接收端放置耦合电容,容值参考协议要求。
应用于S920S08模组时,M0单路互联,使用Lane翻转方式连接,应用不需要外接耦合电容。

对于不使用的Lane,可以悬空。在Hilink初始化的时候,不使用的Lane不上电。